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CMBD914

产品描述0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小14KB,共1页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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CMBD914概述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE

CMBD914规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
CMBD914
SOT-23
Absolute Maximum Ratings (Ta=25
°
C)
ITEMS
Symbol
Ratings
Unit
Reverse Voltage VR
75
V
Reverse
trr
4
ns
Recovery Time
Forward Voltage VF
1.0
V
@ If = 10 mA
Forward Current IF
200
mA
Junction Temp.
Tj
-55 to 150
°
C
Storage Temp.
Tstg
-55 to 150
°
C
Mechanical Data
ITEMS
Materials
Package
SOT-23
Lead Frame
42 Alloy
Lead Finish
Solder Plating
Bond Wire
Au
Mold Resin
Epoxy
Chip
Silicon
(1)
(3)
(2)
1. ANODE
2. NC
3. CATHODE
(UNITS: mm)
Electrical Characteristics (Ta=25
°
C)
RATINGS
Minimum Reverse Breakdown Voltage
IR= 100uA
Continuous Reverse Voltage
Forward Voltage
IF= 10 mA
Reverse Current
VR= 20V
VR= 75V
Junction Capacitance
VR = 0 V, f = 1MHz
Reverse Recovery Time
IF= IR= 10mA; RL= 100 ohms
Thermal Resstance (junction to ambient)
SYMBOL
VBR
VR
VF
IR
RATINGS
100
75
1.0
UNIT
V
V
V
uA
.025
5
Cj
4
trr
R
Θ
JA
4
556
ns
°
C/W
pF
RECTRON USA
1315 John Reed Court, Industry, CA 91745
Tel: (626) 333-3802 Fax: (626) 330-6296
www.rectron.com
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