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IRF9540STRR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小194KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF9540STRR概述

Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

IRF9540STRR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)640 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)19 A
最大漏极电流 (ID)19 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD - 9.917A
HEXFET
®
Power MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
IRF9540S
D
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
P Channel
175°C Operating Temperature
Fast Switching
V
DSS
= -100V
G
S
R
DS(on)
= 0.20Ω
I
D
= -19A
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer
with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die
sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest
possible on-resistance in any existing surface mount package. The SMD-220 is
suitable for high current applications because of its low internal connection
resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.
SMD-220
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Power Dissipation (PCB Mount)**
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB Mount)**
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
‚
Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ
Junction and Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
-19
-13
-72
150
3.7
1.0
0.025
±20
640
-19
15
-5.5
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J,
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θJA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)**
Min.
––––
––––
Typ.
––––
––––
Max.
1.0
40
Units
°C/W
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
3/21/03

IRF9540STRR相似产品对比

IRF9540STRR IRF9540STRL
描述 Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 4
Reach Compliance Code unknown compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 640 mJ 640 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 19 A 19 A
最大漏极电流 (ID) 19 A 19 A
最大漏源导通电阻 0.2 Ω 0.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
功耗环境最大值 150 W 150 W
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A 72 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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