5962-8961408MXA概述

UVPROM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32

5962-8961408MXA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	DIP
包装说明	WDIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	42.1005 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	5.588 mm
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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5962-8961408MXA相似产品对比

	5962-8961408MXA	890-90-034-20-905	5962-8961408MYA	5962-8961409MYA	5962-8961407MYA	5962-8961407MXA
描述	UVPROM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32	Board Connector, 34 Contact(s), 1 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Black Insulator, Receptacle	UVPROM, 128KX8, 70ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 128KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-40 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
厂商名称	AMD(超微)	-	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)
零件包装代码	DIP	-	QFJ	QFJ	QFJ	DIP
包装说明	WDIP, DIP32,.6	-	WQCCN, LCC32,.45X.55	WQCCN, LCC32,.45X.55	WQCCN, LCC32,.45X.55	WDIP, DIP32,.6
针数	32	-	32	32	32	32
最长访问时间	70 ns	-	70 ns	55 ns	90 ns	90 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T32	-	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-GDIP-T32
长度	42.1005 mm	-	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	42.1005 mm
内存密度	1048576 bit	-	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM	-	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	-	8	8	8	8
功能数量	1	-	1	1	1	1
端子数量	32	-	32	32	32	32
字数	131072 words	-	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	-	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	128KX8	-	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP	-	WQCCN	WQCCN	WQCCN	WDIP
封装等效代码	DIP32,.6	-	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW	-	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883	-	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883
座面最大高度	5.588 mm	-	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	5.588 mm
最大待机电流	0.001 A	-	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.06 mA	-	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	-	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	-	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	-	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式	THROUGH-HOLE	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	-	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL
宽度	15.24 mm	-	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	15.24 mm
Base Number Matches	1	-	1	1	1	1

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