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5962-8961407MYA

产品描述UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
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文件大小312KB,共12页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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5962-8961407MYA概述

UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32

5962-8961407MYA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码QFJ
包装说明WQCCN, LCC32,.45X.55
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码WQCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度3.556 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

5962-8961407MYA相似产品对比

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描述 UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 UVPROM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32 Board Connector, 34 Contact(s), 1 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Black Insulator, Receptacle UVPROM, 128KX8, 70ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 UVPROM, 128KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -40 °C -55 °C -55 °C -55 °C
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
厂商名称 AMD(超微) AMD(超微) - AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
零件包装代码 QFJ DIP - QFJ QFJ DIP
包装说明 WQCCN, LCC32,.45X.55 WDIP, DIP32,.6 - WQCCN, LCC32,.45X.55 WQCCN, LCC32,.45X.55 WDIP, DIP32,.6
针数 32 32 - 32 32 32
最长访问时间 90 ns 70 ns - 70 ns 55 ns 90 ns
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CQCC-N32 R-GDIP-T32 - R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-GDIP-T32
长度 13.97 mm 42.1005 mm - 13.97 mm 13.97 mm 42.1005 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit - 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM - UVPROM UVPROM UVPROM
内存宽度 8 8 - 8 8 8
功能数量 1 1 - 1 1 1
端子数量 32 32 - 32 32 32
字数 131072 words 131072 words - 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 - 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 128KX8 128KX8 - 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 WQCCN WDIP - WQCCN WQCCN WDIP
封装等效代码 LCC32,.45X.55 DIP32,.6 - LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER, WINDOW IN-LINE, WINDOW - CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW IN-LINE, WINDOW
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 - MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883
座面最大高度 3.556 mm 5.588 mm - 3.556 mm 3.556 mm 5.588 mm
最大待机电流 0.001 A 0.001 A - 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.06 mA 0.06 mA - 0.06 mA 0.06 mA 0.06 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO - YES YES NO
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY - MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped - Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE - NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE
端子位置 QUAD DUAL - QUAD QUAD DUAL
宽度 11.43 mm 15.24 mm - 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 - 1 1 1
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