TC55257APL-12,TC55257APL-12 pdf中文资料,TC55257APL-12引脚图,TC55257APL-12电路-Datasheet-电子工程世界

TC55257APL-12: 产品描述toshiba mos memory products; 产品类别存储存储; 文件大小186KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TC55257APL-12概述

toshiba mos memory products

TC55257APL-12规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.6
针数	28
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
其他特性	LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATURE
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.2 mm
最大待机电流	0.0001 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

TC55257APL-12相似产品对比

	TC55257APL-12	TC55257APL-10	TC55257AFL-10	TC55257AFL-12	TC55257AFL	TC55257APL	TC55257APL-85
描述	toshiba mos memory products	toshiba mos memory products	toshiba mos memory products	toshiba mos memory products	toshiba mos memory products	toshiba mos memory products	toshiba mos memory products
是否无铅	含铅	-	含铅	含铅	-	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	-	-	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	-	-	-	Toshiba(东芝)
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC	SOIC	-	-	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.6	DIP,	SOP, SOP28,.5	SOP, SOP28,.5	-	-	DIP, DIP28,.6
针数	28	28	28	28	-	-	28
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	-	-	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99
最长访问时间	120 ns	100 ns	100 ns	120 ns	-	-	85 ns
其他特性	LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATURE	LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATURE	LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATURE	LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATURE	-	-	LOW POWER STANDBY MODE; POWER DOWN FEATURE
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	-	-	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	-	-	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	-	-	e0
内存密度	262144 bi	262144 bi	262144 bi	262144 bi	-	-	262144 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	-	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	-	-	8
功能数量	1	1	1	1	-	-	1
端子数量	28	28	28	28	-	-	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	-	-	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	-	-	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	-	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	-	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	-	-	32KX8
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOP	SOP	-	-	DIP
封装等效代码	DIP28,.6	-	SOP28,.5	SOP28,.5	-	-	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	-	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	-	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	NOT SPECIFIED	240	240	-	-	240
电源	5 V	-	5 V	5 V	-	-	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified
座面最大高度	5.2 mm	5.2 mm	2.5 mm	2.5 mm	-	-	5.2 mm
最大待机电流	0.0001 A	-	0.0001 A	0.0001 A	-	-	0.0001 A
最小待机电流	2 V	-	2 V	2 V	-	-	2 V
最大压摆率	0.07 mA	-	0.07 mA	0.07 mA	-	-	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	-	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	-	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	-	-	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	-	-	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	-	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	-	-	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	-	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED

TC55257APL-12

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TC55257APL-12规格参数

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