TC58FVM6T2AXB65,TC58FVM6T2AXB65 pdf中文资料,TC58FVM6T2AXB65引脚图,TC58FVM6T2AXB65电路-Datasheet-电子工程世界

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TC58FVM6T2AXB65: 产品描述toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos; 产品类别存储存储; 文件大小756KB，共61页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TC58FVM6T2AXB65概述

toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos

TC58FVM6T2AXB65规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	7 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-56
针数	56
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	75 ns
备用内存宽度	8
启动块	TOP
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B56
长度	10 mm
内存密度	67108864 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	8,127
端子数量	56
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA56,8X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	8/16 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	8K,64K
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	7 mm
Base Number Matches	1

TC58FVM6T2AXB65相似产品对比

	TC58FVM6T2AXB65	TC58FVM62A	TC58FVM6T2AFT65	TC58FVM6B2AXB65	TC58FVM6B2AFT65
描述	toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos	toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos	toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos	toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos	toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	-	TSOP1	BGA	TSOP1
包装说明	7 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-56	-	12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48	7 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-56	12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
针数	56	-	48	56	48
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A	-	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A
最长访问时间	75 ns	-	75 ns	75 ns	75 ns
备用内存宽度	8	-	8	8	8
启动块	TOP	-	TOP	BOTTOM	BOTTOM
命令用户界面	YES	-	YES	YES	YES
通用闪存接口	YES	-	YES	YES	YES
数据轮询	YES	-	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B56	-	R-PDSO-G48	R-PBGA-B56	R-PDSO-G48
长度	10 mm	-	18.4 mm	10 mm	18.4 mm
内存密度	67108864 bi	-	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bit
内存集成电路类型	FLASH	-	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	-	16	16	16
功能数量	1	-	1	1	1
部门数/规模	8,127	-	8,127	8,127	8,127
端子数量	56	-	48	56	48
字数	4194304 words	-	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	-	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	4MX16	-	4MX16	4MX16	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	-	TSOP1	TFBGA	TSOP1
封装等效代码	BGA56,8X12,32	-	TSSOP48,.8,20	BGA56,8X12,32	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	8/16 words	-	8/16 words	8/16 words	8/16 words
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V	-	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V
编程电压	3 V	-	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	-	YES	YES	YES
座面最大高度	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
部门规模	8K,64K	-	8K,64K	8K,64K	8K,64K
最大待机电流	0.00001 A	-	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	0.07 mA	-	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	-	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	-	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	0.8 mm	-	0.5 mm	0.8 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	-	DUAL	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	YES	-	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	-	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	7 mm	-	12 mm	7 mm	12 mm

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