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TC58FVM6B2AFT65

产品描述toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos
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文件大小756KB,共61页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC58FVM6B2AFT65概述

toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos

TC58FVM6B2AFT65规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码TSOP1
包装说明12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间75 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,127
端子数量48
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小8/16 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K,64K
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm

TC58FVM6B2AFT65相似产品对比

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描述 toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos toshiba mos digital integrated circuit silicon gate Cmos
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP1 - TSOP1 BGA BGA
包装说明 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 - 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 7 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-56 7 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-56
针数 48 - 48 56 56
Reach Compliance Code unknown - unknow unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.1.A - 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
最长访问时间 75 ns - 75 ns 75 ns 75 ns
备用内存宽度 8 - 8 8 8
启动块 BOTTOM - TOP TOP BOTTOM
命令用户界面 YES - YES YES YES
通用闪存接口 YES - YES YES YES
数据轮询 YES - YES YES YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 - R-PDSO-G48 R-PBGA-B56 R-PBGA-B56
长度 18.4 mm - 18.4 mm 10 mm 10 mm
内存密度 67108864 bit - 67108864 bi 67108864 bi 67108864 bi
内存集成电路类型 FLASH - FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 - 16 16 16
功能数量 1 - 1 1 1
部门数/规模 8,127 - 8,127 8,127 8,127
端子数量 48 - 48 56 56
字数 4194304 words - 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 - 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C
组织 4MX16 - 4MX16 4MX16 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 - TSOP1 TFBGA TFBGA
封装等效代码 TSSOP48,.8,20 - TSSOP48,.8,20 BGA56,8X12,32 BGA56,8X12,32
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小 8/16 words - 8/16 words 8/16 words 8/16 words
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5/3.3 V - 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V
编程电压 3 V - 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES - YES YES YES
座面最大高度 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 8K,64K - 8K,64K 8K,64K 8K,64K
最大待机电流 0.00001 A - 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A
最大压摆率 0.07 mA - 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V - 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V - 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES - YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING - GULL WING BALL BALL
端子节距 0.5 mm - 0.5 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL - DUAL BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES - YES YES YES
类型 NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 12 mm - 12 mm 7 mm 7 mm

 
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