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2N1136B

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共1页
制造商Semiconductor Technology Inc
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2N1136B概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

2N1136B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-204AA
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度100 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料GERMANIUM
Base Number Matches1

2N1136B相似产品对比

2N1136B 2N457A
描述 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TO-204AA TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2 2
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 6 A 7 A
集电极-发射极最大电压 80 V 30 V
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 50 30
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 100 °C 100 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 GERMANIUM GERMANIUM
Base Number Matches 1 1

 
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