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2N457A: 产品描述Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小94KB，共1页; 制造商Semiconductor Technology Inc

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2N457A概述

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

	2N457A	2N1136B
描述	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合
零件包装代码	TO-204AA	TO-204AA
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数	2	2
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	7 A	6 A
集电极-发射极最大电压	30 V	80 V
配置	Single	Single
最小直流电流增益 (hFE)	30	50
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	100 °C	100 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	GERMANIUM	GERMANIUM
Base Number Matches	1	1

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