150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 230 V |
加工封装描述 | TO-92-18CD, 3 PIN |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | ROUND |
包装尺寸 | CYLINDRICAL |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | UNSPECIFIED |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大环境功耗 | 1 W |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | DEPLETION |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL |
最大漏电流 | 0.1500 A |
Q62702-S015 | BSS129 | Q67000-S116 | |
---|---|---|---|
描述 | 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18 | 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18 | 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
端子形式 | WIRE | THROUGH-HOLE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最小击穿电压 | 230 V | - | 230 V |
加工封装描述 | TO-92-18CD, 3 PIN | - | TO-92-18CD, 3 PIN |
状态 | ACTIVE | - | ACTIVE |
包装形状 | ROUND | - | ROUND |
包装尺寸 | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL |
包装材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
最大环境功耗 | 1 W | - | 1 W |
通道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | DEPLETION | - | DEPLETION |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL | - | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL |
最大漏电流 | 0.1500 A | - | 0.1500 A |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved