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BSS129

产品描述150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小277KB,共6页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BSS129概述

150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18

BSS129规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SIEMENS
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压240 V
最大漏极电流 (ID)0.15 A
最大漏源导通电阻20 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)10 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BSS129相似产品对比

BSS129 Q67000-S116 Q62702-S015
描述 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
端子形式 THROUGH-HOLE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最小击穿电压 - 230 V 230 V
加工封装描述 - TO-92-18CD, 3 PIN TO-92-18CD, 3 PIN
状态 - ACTIVE ACTIVE
包装形状 - ROUND ROUND
包装尺寸 - CYLINDRICAL CYLINDRICAL
包装材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
结构 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
最大环境功耗 - 1 W 1 W
通道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
场效应晶体管技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 - DEPLETION DEPLETION
晶体管类型 - GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最大漏电流 - 0.1500 A 0.1500 A
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