150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SIEMENS |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 240 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.15 A |
最大漏源导通电阻 | 20 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 10 pF |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
BSS129 | Q67000-S116 | Q62702-S015 | |
---|---|---|---|
描述 | 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18 | 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18 | 150mA, 230V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-18 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
端子形式 | THROUGH-HOLE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最小击穿电压 | - | 230 V | 230 V |
加工封装描述 | - | TO-92-18CD, 3 PIN | TO-92-18CD, 3 PIN |
状态 | - | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | - | ROUND | ROUND |
包装尺寸 | - | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
包装材料 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
结构 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
最大环境功耗 | - | 1 W | 1 W |
通道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | - | DEPLETION | DEPLETION |
晶体管类型 | - | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL |
最大漏电流 | - | 0.1500 A | 0.1500 A |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved