SIT2045BERS1-30EA122.705001D,SIT2045BERS1-30EA122.705001D pdf中文资料,SIT2045BERS1-30EA122.705001D引脚图,SIT2045BERS1-30EA122.705001D电路-Datasheet-电子工程世界

SIT2045BERS1-30EA122.705001D: 产品描述122.705001MHz Nom, SOT23-5; 产品类别无源元件振荡器; 文件大小594KB，共12页; 制造商SiTime; 标准

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SIT2045BERS1-30EA122.705001D概述

122.705001MHz Nom, SOT23-5

keil5软件仿真问题: keil5软件仿真时,我在main函数设置一个断点，然后点击run试图跳到断点处，然而却出现了下面的情况将断点设置在LED0=1语句点击run，直接跳到stm32f10x_fsmc.c,而没有跳到我们设置的断点语句处，左下角也出现了错误代号*** error 65: access violation at 0x60020000 : no 'write' permission。。再此按下run后还是...; 反倒是fdsf stm32/stm8

SoC时代的多核DSP应用: [i=s] 本帖最后由 fish001 于 2018-6-21 21:40 编辑 [/i][size=5]多核DSP 最重要的应用领域之一就是3G数字移动通信。其中包括基站和移动终端两方面的应用。基站所使用的DSP更注重高性能，对成本和功耗不是非常敏感。而移动终端要面向具体的用户，设计时必须在功能、功耗、体积、价格等方面进行综合考虑，因此移动终端对核心处理器的要求更加苛刻。[/size][siz...; fish001 DSP 与 ARM 处理器

再说MOS的主要参数: 1.开启电压VT　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。　　2. 直流输入电阻RGS　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示　　·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。　　3. 漏源击穿电压BVDS　　...; qwqwqw2088 电源技术

世界各大品牌功率器件选型表（有参考价格）: 本文为转帖，觉得对大家有用，就转到坛子了：）功率器件的牌子很多，以MOSFET为例，有飞兆，IR ,ST ,ON，英飞凌，TOSHIBA的世界各大牌子，如何花更少的钱买到最好的东西，是我们采购也好，工程师也罢是我们追求的目标，这样才会老板满意，客户满意，供应商也满意，达到多赢共赢的目标，以高压MOSFET 10A 600V TO-220的为例，（我们不说型号，每家公司的命名不同）仙童的FQPF10...; 小猪电源技术

【藏书阁】EZ-USB2100 系列单片机原理,编程及应用: [b]目录：[/b]第1章 EZ－USB简介1．1 介绍1．2 EZ－USB结构框图1．3 USB规格说明1．4 令牌和PID1．5 主机是控制器1．6 USB的传输方向1．7 帧1．8 EZ－USB的传输类型1．9 枚举l．10 USB内核1．11 EZ－USB微处理器l．12 重校举1．13 EZ－USB端点1．14 快速传输模式1．15 中断1．16 复位与电源管理1．17 EZ－USB系列...; wzt 单片机

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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