MD51C67-45,MD51C67-45 pdf中文资料,MD51C67-45引脚图,MD51C67-45电路-Datasheet-电子工程世界

MD51C67-45: 产品描述Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20; 产品类别存储存储; 文件大小249KB，共5页; 制造商Intel(英特尔); 官网地址http://www.intel.com/

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MD51C67-45概述

Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20

MD51C67-45规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1435196450
包装说明	DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T20
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	20
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

MD51C67-45相似产品对比

	MD51C67-45	D51C66-35L	D51C66-35	D51C66-25	D51C66-30
描述	Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20	Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20	Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20	Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20	Standard SRAM, 16KX1, 30ns, CMOS, CDIP20
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP20,.3	DIP, DIP20,.3	DIP, DIP20,.3	DIP, DIP20,.3	DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Code	compliant	unknow	unknow	unknow	unknow
最长访问时间	45 ns	35 ns	35 ns	25 ns	30 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T20	R-XDIP-T20	R-XDIP-T20	R-XDIP-T20	R-XDIP-T20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	16384 bit	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1
端子数量	20	20	20	20	20
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	0.1 mA	0.06 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	-	1	1	1	-

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