SM5819: 产品描述1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小54KB，共2页; 制造商FORMOSA; 官网地址http://www.formosams.com/

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SM5819概述

1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE

SM5819规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	FORMOSA
包装说明	MELF-2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW POWER LOSS
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.6 V
JEDEC-95代码	DO-213AB
JESD-30 代码	O-PELF-R2
最大非重复峰值正向电流	25 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	40 V
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END

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MELF Schottky Barrier Diodes

SM5817 THRU SM5819

Silicon epitaxial planer type

Formosa MS

SM-1

Features

Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame

Retardant Epoxy M

olding Compound.

For surface mounted applications.

.205(5.2)

.190(4.8)

.024(.60)

.018(.46)

SOLDERABLE

ENDS

Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /

228

Low leakage current.

.105(2.7)

.095(2.4)

Mechanical data

Case : Molded plastic, SM-1 (MELF)

Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity : Indicated by c athode band

Mounting P

osition : Any

Weight : 0.015 gram

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS

(AT T

=25

C unless otherwise noted)

PARAMETER

Forward rectified current

Forward surge current

See Fig.2

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rate load (JEDEC methode)

= V

RRM

CONDITIONS

Symbol

FSM

MIN.

TYP.

MAX.

1.0

UNIT

Reverse current

Thermal resistance

Diode junction capacitance

Storage temperature

STG

-55

110

= V

RRM

= 100 C

Junction to ambient

f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage

C / w

+150

SYMBOLS

MARKING

CODE

RRM

(V)

RMS

(V)

Operating

temperature

(

*1 Repetitive peak reverse voltage

*2 RMS voltage

(V)

0.45

0.55

0.60

SM5817

SM5818

SM5819

-55 to +125

*3 Continuous reverse voltage

*4 Maximum forward voltage

SM5819相似产品对比

	SM5819	SM5818	SM5817
描述	1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE	1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE	1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称	FORMOSA	FORMOSA	FORMOSA
包装说明	MELF-2	O-PELF-R2	O-PELF-R2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW POWER LOSS	LOW POWER LOSS	LOW POWER LOSS
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.6 V	0.55 V	0.45 V
JEDEC-95代码	DO-213AB	DO-213AB	DO-213AB
JESD-30 代码	O-PELF-R2	O-PELF-R2	O-PELF-R2
最大非重复峰值正向电流	25 A	25 A	25 A
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	40 V	30 V	20 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	WRAP AROUND	WRAP AROUND	WRAP AROUND
端子位置	END	END	END

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