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SM5818

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
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SM5818概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

SM5818规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
包装说明O-PELF-R2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-PELF-R2
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式WRAP AROUND
端子位置END

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MELF Schottky Barrier Diodes
SM5817 THRU SM5819
Silicon epitaxial planer type
Formosa MS
SM-1
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame
Retardant Epoxy M
olding Compound.
For surface mounted applications.
.205(5.2)
.190(4.8)
.024(.60)
.018(.46)
SOLDERABLE
ENDS
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /
228
Low leakage current.
.105(2.7)
.095(2.4)
Mechanical data
Case : Molded plastic, SM-1 (MELF)
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by c athode band
Mounting P
osition : Any
Weight : 0.015 gram
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Forward rectified current
Forward surge current
See Fig.2
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC methode)
V
R
= V
RRM
T
A
=
25
o
C
o
CONDITIONS
Symbol
I
O
I
FSM
MIN.
TYP.
MAX.
1.0
25
1.0
10
UNIT
A
A
mA
mA
o
Reverse current
Thermal resistance
Diode junction capacitance
Storage temperature
I
R
Rq
JA
C
J
T
STG
-55
80
110
V
R
= V
RRM
T
A
= 100 C
Junction to ambient
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage
C / w
pF
+150
o
C
SYMBOLS
MARKING
CODE
-
-
-
V
RRM
(V)
*1
V
RMS
(V)
14
21
28
*2
V
R
*3
V
F
*4
Operating
temperature
(
o
C)
*1 Repetitive peak reverse voltage
*2 RMS voltage
(V)
20
30
40
(V)
0.45
0.55
0.60
SM5817
SM5818
SM5819
20
30
40
-55 to +125
*3 Continuous reverse voltage
*4 Maximum forward voltage

SM5818相似产品对比

SM5818 SM5819 SM5817
描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 FORMOSA FORMOSA FORMOSA
包装说明 O-PELF-R2 MELF-2 O-PELF-R2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.55 V 0.6 V 0.45 V
JEDEC-95代码 DO-213AB DO-213AB DO-213AB
JESD-30 代码 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A 25 A
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 30 V 40 V 20 V
表面贴装 YES YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END
调了下ufun的三轴
加速度: -278mg 加速度: -37mg 加速度: 985mg 角度: -15.77° 角度: -2.16° 角度: 89.12° 加速度: -274mg 加速度: -36mg 加速度: 990mg 角度: -15.49° 角度: -2.09° 角度: ......
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