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K4D261638F-TC36T: 产品描述DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66; 产品类别存储存储; 文件大小227KB，共18页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4D261638F-TC36T概述

DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1125504834
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	275 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	1
端子数量	66
字数	8388608 words
字数代码	8000000
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	8MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.045 A
最大压摆率	0.275 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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