I2C BUS 16Kbit (2,048 x 8bit) EEPROM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | LSSOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010MMMR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e2 |
长度 | 4.4 mm |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LSSOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.25 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000002 A |
最大压摆率 | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
宽度 | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 |
BR24L16FVT-W | BR24L16FVJ-W | |
---|---|---|
描述 | I2C BUS 16Kbit (2,048 x 8bit) EEPROM | I2C BUS 16Kbit (2,048 x 8bit) EEPROM |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) |
零件包装代码 | SOIC | SOIC |
包装说明 | LSSOP, SOP8,.25 | TSSOP, TSSOP8,.25 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 | 40 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010MMMR | 1010MMMR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e2 | e2 |
长度 | 4.4 mm | 3 mm |
内存密度 | 16384 bit | 16384 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
字数 | 2048 words | 2048 words |
字数代码 | 2000 | 2000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 2KX8 | 2KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LSSOP | TSSOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 | TSSOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
电源 | 2/5 V | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.25 mm | 1.1 mm |
串行总线类型 | I2C | I2C |
最大待机电流 | 0.000002 A | 0.000002 A |
最大压摆率 | 0.002 mA | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 |
宽度 | 3 mm | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms |
写保护 | HARDWARE | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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