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PJP4N60

产品描述Power Mosfet 功率MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小218KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJP4N60概述

Power Mosfet 功率MOSFET

功能特点

产品名称:Power Mosfet 功率MOSFET


产品型号:PJP4N60


产品参数:


Voltage Range电压范围:>100


Channel通道:N


Drain-Source Voltage漏源极电压:VDSS:600V


Gate-Source Voltage栅源极电压最大值:VGSS:30+V


Drain Current漏极电流:ID:4A


Maximum Power Dissipation最大功耗:PD:70W


Static Drain-Source On-Resistance: Vgs=10V,Rdson (max.):2.4Ω


Gate Charge门电荷: Vgs=10V,Qg:17.2nC


Input Capacitance输入电容: Vds=25V,Ciss:560pF


Reverse Transfer Capacitance反向传输电容: Vds=25V,Crss:5.2pF



Package封装:TO-220AB



PJP4N60规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)330 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻2.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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