30N06_15,30N06_15 pdf中文资料,30N06_15引脚图,30N06

30N06_15: 产品描述N-CHANNEL POWER MOSFET; 文件大小346KB，共8页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/

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30N06_15概述

N-CHANNEL POWER MOSFET

30N06_15相似产品对比

	30N06_15	30N06G-TF3-T	30N06G-TM3-T	30N06G-TN3-R	30N06G-TN3-T	30N06L-TF1-T	30N06L-TF2-T	30N06L-TM3-T	30N06L-TN3-R	30N06L-TN3-T
描述	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证	-	不符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	-	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	-	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
雪崩能效等级（Eas）	-	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ
配置	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	-	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A
最大漏极电流 (ID)	-	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A
最大漏源导通电阻	-	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	-	TO-220AB	TO-251	TO-252	TO-252	TO-220AB	TO-220AB	TO-251	TO-252	TO-252
JESD-30 代码	-	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	-	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	3	3	2	2	3	3	3	2	2
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	FLANGE MOUNT	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	-	45 W	46 W	46 W	46 W	45 W	45 W	46 W	46 W	46 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A
表面贴装	-	NO	NO	YES	YES	NO	NO	NO	YES	YES
端子形式	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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