30N06G-TF3-T,30N06G-TF3-T pdf中文资料,30N06G-TF3-T引脚图,30N06G-TF3-T电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 30N06G-TF3-T

30N06G-TF3-T: 产品描述N-CHANNEL POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小346KB，共8页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/

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30N06G-TF3-T概述

N-CHANNEL POWER MOSFET

30N06G-TF3-T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	30 A
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.04 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

30N06G-TF3-T相似产品对比

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描述	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	-
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	-
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	-
最大漏极电流 (ID)	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	-
最大漏源导通电阻	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-251	TO-252	TO-252	TO-220AB	TO-220AB	TO-251	TO-252	TO-252	-
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	-
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	3	3	2	2	3	3	3	2	2	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLANGE MOUNT	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
最大功率耗散 (Abs)	45 W	46 W	46 W	46 W	45 W	45 W	46 W	46 W	46 W	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	120 A	-
表面贴装	NO	NO	YES	YES	NO	NO	NO	YES	YES	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-

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