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1N70G-T92-K

产品描述1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小307KB,共8页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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1N70G-T92-K概述

1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET

1N70G-T92-K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-92
包装说明HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.2 A
最大漏极电流 (ID)1.2 A
最大漏源导通电阻13.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)4 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
1N70
1.2A, 700V N-CHANNEL
POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC
1N70
is a high voltage MOSFET and is designed to
have better characteristics, such as fast switching time, low gate
charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche
characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed
switching applications in power supplies, PWM motor controls, high
efficient DC to DC converters and bridge circuits.
Power MOSFET
FEATURES
* R
DS(ON)
=13.5Ω@V
GS
= 10V.
* Ultra Low gate charge (typical 5.0nC)
* Low reverse transfer capacitance (C
RSS
= typical 3.0 pF)
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness
SYMBOL
2.Drain
1.Gate
3.Source
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
1N70L-T92-B
1N70G-T92-B
1N70L-T92-K
1N70G-T92-K
1N70L-T92-R
1N70G-T92-R
Package
TO-92
TO-92
TO-92
Pin Assignment
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
Packing
Tape Box
Bulk
Tape Reel
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 8
QW-R502-171,C

1N70G-T92-K相似产品对比

1N70G-T92-K 1N70G-T92-B 1N70G-T92-R 1N70L-T92-R 1N70_11
描述 1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 -
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 -
包装说明 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3 -
针数 3 3 3 3 -
Reach Compliance Code compli compli compli compli -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 700 V 700 V 700 V 700 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A -
最大漏极电流 (ID) 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A -
最大漏源导通电阻 13.5 Ω 13.5 Ω 13.5 Ω 13.5 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
最大反馈电容 (Crss) 4 pF 4 pF 4 pF 4 pF -
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 -
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 -
元件数量 1 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 3 W 3 W 3 W 3 W -
表面贴装 NO NO NO NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -

 
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