Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 1N70G-T92-R

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1N70G-T92-R: 产品描述1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小307KB，共8页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/

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1N70G-T92-R概述

1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET

1N70G-T92-R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码	TO-92
包装说明	HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1.2 A
最大漏极电流 (ID)	1.2 A
最大漏源导通电阻	13.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	4 pF
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3 W
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

1N70

1.2A, 700V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC

1N70

is a high voltage MOSFET and is designed to

have better characteristics, such as fast switching time, low gate

charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche

characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed

switching applications in power supplies, PWM motor controls, high

efficient DC to DC converters and bridge circuits.

Power MOSFET

FEATURES

* R

DS(ON)

=13.5Ω@V

= 10V.

* Ultra Low gate charge (typical 5.0nC)

* Low reverse transfer capacitance (C

RSS

= typical 3.0 pF)

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Halogen Free

1N70L-T92-B

1N70G-T92-B

1N70L-T92-K

1N70G-T92-K

1N70L-T92-R

1N70G-T92-R

Package

TO-92

Pin Assignment

Packing

Tape Box

Bulk

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 8

QW-R502-171,C

1N70G-T92-R相似产品对比

	1N70G-T92-R	1N70G-T92-B	1N70G-T92-K	1N70L-T92-R	1N70_11
描述	1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET	1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET	1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET	1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET	1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	符合	-
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	-
零件包装代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	-
包装说明	HALOGEN FREE PACKAGE-3	HALOGEN FREE PACKAGE-3	HALOGEN FREE PACKAGE-3	LEAD FREE PACKAGE-3	-
针数	3	3	3	3	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
最小漏源击穿电压	700 V	700 V	700 V	700 V	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1.2 A	1.2 A	1.2 A	1.2 A	-
最大漏极电流 (ID)	1.2 A	1.2 A	1.2 A	1.2 A	-
最大漏源导通电阻	13.5 Ω	13.5 Ω	13.5 Ω	13.5 Ω	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
最大反馈电容 (Crss)	4 pF	4 pF	4 pF	4 pF	-
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	-
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	-
元件数量	1	1	1	1	-
端子数量	3	3	3	3	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	-
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
最大功率耗散 (Abs)	3 W	3 W	3 W	3 W	-
表面贴装	NO	NO	NO	NO	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-

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