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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5819
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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小36KB，共1页
制造商重庆平伟实业
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 45 V, 硅, 信号二极管

1N5819规格参数

参数名称属性值
端子数量1
元件数量1
加工封装描述DIE-2
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸UNCASED 芯片
表面贴装Yes
端子形式NO 铅
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料硅
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压45 V
最大平均正向电流1 A

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CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.
1N5817 THRU 1N5819
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE：20-40V
CURRENT：1.0A
FEATURES
·Low
switching noise
·Low
forward voltage drop
·High
current capability
·High
switching capabitity
·High
reliability
·High
surge capability
DO-41
1.0(25.4)
MIN.
.205(5.2)
.166(4.2)
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA.
DIA.
MECHANICAL DATA
·Case:
Molded plastic
·Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
·Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
·Polarity:Color
band denotes cathode end
·Mounting
position:
Any
·Weight:
0.33 grams
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward rectified Current
.375”(9.5mm) lead length at T
L
=75°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rate load (JEDEC
method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
at 1.0A DC
Maximum Forward Voltage at 3.1A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
0.45
0.75
I
R
C
J
R
θ
JA
1N5817
20
14
20
1N5818
30
21
30
1.0
25
0.55
0.875
1.0
mA
10.0
110
80
pF
°C/W
0.60
0.90
1N5819
40
28
40
units
V
V
V
A
A
V
F
V
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Notes:
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
2. Thermal Resistance from junction to ambient at .375”(9.5mm) lead length
１
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文件½用
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1N5819相似产品对比

1N5819 1N5817 1N5818
描述 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态 DISCONTINUED CONSULT MFR TRANSFERRED
二极管类型 信号二极管 整流二极管 信号二极管
端子数量 1 - 2
元件数量 1 - 1
加工封装描述 DIE-2 - 塑料, DO-41, 2 PIN
包装形状 SQUARE - 圆
包装尺寸 UNCASED 芯片 - LONG FORM
端子形式 NO 铅 - 线
端子位置 UPPER - AXIAL
包装材料 UNSPECIFIED - 塑料/环氧树脂
工艺 SCHOTTKY - SCHOTTKY
结构 单一的 - 单一的
壳体连接 隔离 - 隔离
二极管元件材料 硅 - 硅
最大重复峰值反向电压 45 V - 30 V
最大平均正向电流 1 A - 1 A

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