1N5818: 产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小36KB，共1页; 制造商重庆平伟实业

下载文档详细参数选型对比全文预览

1N5818在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	1N5818	-	-	点击查看	点击购买

1N5818概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL

1 A, 30 V, 硅, 信号二极管, DO-204AL

1N5818规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	塑料, DO-41, 2 PIN
状态	TRANSFERRED
包装形状	圆
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	线
端子位置	AXIAL
包装材料	塑料/环氧树脂
工艺	SCHOTTKY
结构	单一的
壳体连接	隔离
二极管元件材料	硅
二极管类型	信号二极管
最大重复峰值反向电压	30 V
最大平均正向电流	1 A

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

1N5817 THRU 1N5819

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

VOLTAGE：20-40V

CURRENT：1.0A

FEATURES

·Low

switching noise

·Low

forward voltage drop

·High

current capability

·High

switching capabitity

·High

reliability

·High

surge capability

DO-41

1.0(25.4)

MIN.

.205(5.2)

.166(4.2)

.034(0.9)

.028(0.7)

DIA.

MECHANICAL DATA

·Case:

Molded plastic

·Epoxy:

UL94V-0 rate flame retardant

·Lead:

MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed

·Polarity:Color

band denotes cathode end

·Mounting

position:

Any

·Weight:

0.33 grams

.107(2.7)

.080(2.0)

1.0(25.4)

MIN.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

SYMBOL

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward rectified Current

.375”(9.5mm) lead length at T

=75°C

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rate load (JEDEC

method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage

at 1.0A DC

Maximum Forward Voltage at 3.1A DC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

=25°C

=100°C

RRM

RMS

FSM

0.45

0.75

1N5817

1N5818

1.0

0.55

0.875

1.0

10.0

110

°C/W

0.60

0.90

1N5819

units

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Notes:

1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts

2. Thermal Resistance from junction to ambient at .375”(9.5mm) lead length

１

PDF

文件½用

"pdfFactory Pro"

试用版本创建

www.fineprint.cn

1N5818相似产品对比

	1N5818	1N5817	1N5819
描述	1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL	RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41	1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
状态	TRANSFERRED	CONSULT MFR	DISCONTINUED
二极管类型	信号二极管	整流二极管	信号二极管
端子数量	2	-	1
元件数量	1	-	1
加工封装描述	塑料, DO-41, 2 PIN	-	DIE-2
包装形状	圆	-	SQUARE
包装尺寸	LONG FORM	-	UNCASED 芯片
端子形式	线	-	NO 铅
端子位置	AXIAL	-	UPPER
包装材料	塑料/环氧树脂	-	UNSPECIFIED
工艺	SCHOTTKY	-	SCHOTTKY
结构	单一的	-	单一的
壳体连接	隔离	-	隔离
二极管元件材料	硅	-	硅
最大重复峰值反向电压	30 V	-	45 V
最大平均正向电流	1 A	-	1 A

推荐资源

双电源供电的电子管功放电路

数显电加热炉自动温度控制器

函数发生器的接通电路

LA3225T-LA3226T音响IC电路

热电偶放大电路

充电泵式电压变换器串联连接4倍压电路图

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W