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1N5624

产品描述3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5624概述

3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41

1N5624规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS, G3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N5624, 1N5625, 1N5626, 1N5627
Vishay Semiconductors
Standard Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Glass passivated junction
• Hermetically sealed package
• Controlled avalanche characteristics
• Low reverse current
• High surge current loading
949588
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-64
Terminals:
plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 858 mg
APPLICATIONS
• Rectification diode, general purpose
PARTS TABLE
PART
1N5624
1N5625
1N5626
1N5627
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 200 V; I
FAV
= 3 A
V
R
= 400 V; I
FAV
= 3 A
V
R
= 600 V; I
FAV
= 3 A
V
R
= 800 V; I
FAV
= 3 A
PACKAGE
SOD-64
SOD-64
SOD-64
SOD-64
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Reverse voltage = repetitive peak
reverse voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
Pulse avalanche peak power
Pulse energy in avalanche mode, non
repetitive (inductive load switch off)
i
2
*t-rating
Junction and storage temperature
range
t
p
= 20 μs, half sine wave,
T
j
= 175 °C
I
(BR)R
= 1 A, T
j
= 175 °C
TEST CONDITION
PART
1N5624
See electrical characteristics
1N5625
1N5626
1N5627
t
p
= 10 ms, half sinewave
SYMBOL
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
P
R
E
R
i
2
*t
T
j
= T
stg
VALUE
200
400
600
800
100
18
3
1000
20
40
- 55 to + 175
UNIT
V
V
V
V
A
A
A
W
mJ
A
2
*s
°C
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Junction ambient
TEST CONDITION
l = 10 mm, T
L
= constant
On PC board with spacing 25 mm
SYMBOL
R
thJA
R
thJA
VALUE
25
70
UNIT
K/W
K/W
www.vishay.com
1
Document Number: 86063
Rev. 1.5, 21-Sep-10
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

1N5624相似产品对比

1N5624 1N5625 1N5627
描述 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 HERMETIC SEALED, GLASS, G3, 2 PIN HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 125 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ELLIPTICAL ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 400 V 800 V
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
Is Samacsys N N -
Base Number Matches 1 1 -
最低工作温度 - -65 °C -65 °C
最大反向电流 - 1 µA 1 µA
最大反向恢复时间 - 6 µs 6 µs
技术 - AVALANCHE AVALANCHE

 
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