1N4007G: 产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小19KB，共2页; 制造商SynSemi; 官网地址http://www.synsemi.com/; 标准

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1N4007G概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4007G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SynSemi
Reach Compliance Code	unknow
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	NO

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1N4001G - 1N4007G

BY133G

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

FEATURES :

Glass passivated chip

High current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

GLASS PASSIVATED JUNCTION

SILICON RECTIFIERS

DO - 41

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

1.00 (25.4)

MIN.

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.34 gram

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

1.00 (25.4)

MIN.

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current

0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75

°C

Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at I

= 1.0 Amp.

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 25

°C

Ta = 100

°C

SYMBOL

RRM

RMS

F(AV)

FSM

R(H)

STG

4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G

100

200

400

600

800

1000

100

140

200

280

400

1.0

5.0

- 65 to + 175

420

600

560

800

700

1000

133G

1300

910

1300

UNIT

µA

°C/W

°C

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC

(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.

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Rev. 01 : January 10, 2004

1N4007G相似产品对比

	1N4007G	1N4003G	1N4004G	1N4002G	1N4006G	1N4005G	BY133G	1N4001G
描述	1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	SIGNAL DIODE	1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	SIGNAL DIODE	SILICON, SIGNAL DIODE	1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	SIGNAL DIODE	glass passivated junction silicon rectifiers
厂商名称	SynSemi	SynSemi	SynSemi	SynSemi	SynSemi	SynSemi	SynSemi	SynSemi
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-	符合	符合	-	符合
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1 V	1.1 V	1.1 V	-	1.1 V
最大非重复峰值正向电流	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	-	30 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	-	1
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	-	175 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	-	1 A
最大重复峰值反向电压	1000 V	200 V	400 V	100 V	800 V	600 V	-	50 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-	NO

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