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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BY133G
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BY133G

产品描述SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小19KB，共2页
制造商SynSemi
官网地址http://www.synsemi.com/
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BY133G概述

SIGNAL DIODE

信号二极管

BY133G规格参数

参数名称属性值
厂商名称SynSemi
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99

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1N4001G - 1N4007G
BY133G
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 1.0 Ampere
FEATURES :
*
*
*
*
*
Glass passivated chip
High current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
GLASS PASSIVATED JUNCTION
SILICON RECTIFIERS
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.34 gram
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75
°C
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine wave Superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 1.0 Amp.
Maximum DC Reverse Current
at rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G
50
100
200
400
600
800
1000
35
50
70
100
140
200
280
400
1.0
30
1.0
5.0
50
8
45
- 65 to + 175
- 65 to + 175
420
600
560
800
700
1000
BY
133G
1300
910
1300
UNIT
V
V
V
A
A
V
µA
µA
pF
°C/W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes :
(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC
(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.
Page 1 of 2
Rev. 01 : January 10, 2004

BY133G相似产品对比

BY133G 1N4003G 1N4004G 1N4002G 1N4007G 1N4006G 1N4005G 1N4001G
描述 SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 glass passivated junction silicon rectifiers
厂商名称 SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknown
是否Rohs认证 - 符合 符合 - 符合 符合 符合 符合
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 1.1 V 1.1 V 1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 - 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 - 1 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 - 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 - 200 V 400 V 100 V 1000 V 800 V 600 V 50 V
表面贴装 - NO NO NO NO NO NO NO

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