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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHFU9020-E3
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SIHFU9020-E3

产品描述9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小348KB，共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHFU9020-E3概述

9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252

SIHFU9020-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）250 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.9 A
最大漏极电流 (ID)9.9 A
最大漏源导通电阻0.28 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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IRFR9020, IRFU9020, SiHFR9020, SiHFU9020
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= - 10 V
14
6.5
6.5
Single
S
FEATURES
- 50
0.28
• Surface Mountable (Order As IRFR9020,
SiHFR9020)
• Straight Lead Option (Order As IRFU9020,
SiHFU9020)
• Repetitive Avalanche Ratings
• Dynamic dV/dt Rating
• Simple Drive Requirements
• Ease of Paralleling
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DESCRIPTION
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
G
G
S
G
D S
D
P-Channel MOSFET
The power MOSFET technology is the key to Vishay’s
advanced line of power MOSFET transistors. The efficient
geometry and unique processing of this latest “State of the
Art” design achieves: very low on-state resistance
combined with high transconductance; superior reverse
energy and diode recovery dV/dt.
The power MOSFET transistors also feature all of the well
established advantages of MOSFET’S such as voltage
control, very fast switching, ease of paralleling and
temperature stability of the electrical parameters.
Surface mount packages enhance circuit performance by
reducing stray inductances and capacitance. The TO-252
surface mount package brings the advantages of power
MOSFET’s to high volume applications where PC board
surface mounting is desirable. The surface mount option
IRFR9020, SiHFR9020 is provided on 16mm tape. The
straight lead option IRFU9020, SiHFU9020 of the device is
called the IPAK (TO-251).
They are well suited for applications where limited heat
dissipation is required such as, computers and peripherals,
telecommunication equipment, DC/DC converters, and a
wide range of consumer products.
DPAK (TO-252)
SiHFR9020TR-GE3
a
IRFR9020TRPbF
a
SiHFR9020T-E3
a
DPAK (TO-252)
SiHFR9020TRL-GE3
a
IRFR9020TRLPbF
a
SiHFR9020TL-E3
a
IPAK (TO-251)
SiHFU9020-GE3
IRFU9020PbF
SiHFU9020-E3
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
DPAK (TO-252)
SiHFR9020-GE3
IRFR9020PbF
SiHFR9020-E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
b
Repetitive Avalanche Current
a
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
d
Current
a
V
GS
at - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
LIMIT
- 50
± 20
- 9.9
- 6.3
- 40
0.33
250
- 9.9
4.2
42
5.8
- 55 to + 150
300
UNIT
V
A
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
T
C
= 25 °C
for 10 s
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 16).
b. V
DD
= - 25 V, Starting T
J
= 25 °C, L = 5.1 mH, R
g
= 25
,
Peak I
L
= - 9.9 A
c. I
SD
- 9.9 A, dI/dt
-120 A/μs, V
DD
40 V, T
J
150 °C.
d. 0.063" (1.6 mm) from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
S13-0169-Rev. D, 04-Feb-13
Document Number: 90350
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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描述 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 9.9 A, 50 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 -
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 -
零件包装代码 TO-251 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 -
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 -
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED -
雪崩能效等级（Eas） 250 mJ 250 mJ 250 mJ 250 mJ 250 mJ 250 mJ 250 mJ 250 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A -
最大漏极电流 (ID) 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A 9.9 A -
最大漏源导通电阻 0.28 Ω 0.28 Ω 0.28 Ω 0.28 Ω 0.28 Ω 0.28 Ω 0.28 Ω 0.28 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-251 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 -
JESD-609代码 e3 e0 e3 e0 e3 e0 e3 e0 -
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 3 2 2 2 2 2 2 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE -
峰值回流温度（摄氏度） 260 240 260 240 260 240 260 240 -
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO YES YES YES YES YES YES NO -
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 40 30 40 30 40 30 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -
厂商名称 - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世) - -

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