datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHFU420
PDF数据手册
文档预览

SIHFU420

产品描述2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB，共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SIHFU420概述

2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

SIHFU420规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）400 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.4 A
最大漏极电流 (ID)2.4 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
max. (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 10 V
19
3.3
13
Single
D
FEATURES
500
3.0
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Surface mount (IRFR420, SiHFR420)
• Straight lead (IRFU420, SiHFU420)
Available
• Available in tape and reel
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
G
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W
are possible in typical surface mount applications.
G
S
G
D S
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
DPAK (TO-252)
SiHFR420-GE3
IRFR420PbF
DPAK (TO-252)
SiHFR420TR-GE3
a
IRFR420TRPbF
a
DPAK (TO-252)
SiHFR420TRL-GE3
a
IRFR420TRLPbF
a
DPAK (TO-252)
SiHFR420TRR-GE3
a
IRFR420TRRPbF
a
IPAK (TO-251)
SiHFU420-GE3
IRFU420PbF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
a
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB
mount)
e
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
for 10 s
Single Pulse Avalanche Energy
b
Repetitive Avalanche Current
a
Repetitive Avalanche
Energy
a
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB mount)
e
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak temperature)
d
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 50 V, starting T
J
= 25 °C, L = 124 mH, R
g
= 25
,
I
AS
= 2.4 A (see fig. 12).
c. I
SD
2.4 A, dI/dt
50 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
S16-1522-Rev. E, 08-Aug-16
Document Number: 91275
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
500
± 20
2.4
1.5
8.0
0.33
0.020
400
2.4
4.2
42
2.5
3.5
-55 to +150
260
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
A
UNIT
V

SIHFU420相似产品对比

SIHFU420 SIHFR120TL SIHFR120TL-E3 SIHFR420 SIHFR420-E3 SIHFR420T SIHFR420T-E3 SIHFU420-E3 IRFR420TRR
描述 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 ,
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.4 A 7.7 A 7.7 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W
表面贴装 NO YES YES YES YES YES YES NO YES
是否无铅 含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 -
零件包装代码 TO-251 TO-252AA TO-252AA TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 -
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 -
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED -
雪崩能效等级（Eas） 400 mJ 210 mJ 210 mJ 400 mJ 400 mJ 400 mJ 400 mJ 400 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN -
最小漏源击穿电压 500 V 100 V 100 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V -
最大漏极电流 (ID) 2.4 A 7.7 A 7.7 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A -
最大漏源导通电阻 3 Ω 0.27 Ω 0.27 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω -
JEDEC-95代码 TO-251 TO-252AA TO-252AA TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 -
JESD-609代码 e0 e0 e3 e0 e3 e0 e3 e3 -
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 3 2 2 2 2 2 2 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE -
峰值回流温度（摄氏度） 240 240 260 240 260 240 260 260 -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8 A 31 A 31 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 40 30 40 30 40 40 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -

推荐资源

模数转换器应用电路设计解析

双金属片恒温控制电路之二

价廉声靓的床头HI-FI-02

基极调幅电路

C620型车床的电气控制线路

iar编译问题
在iar下编译工程的时候 可以顺利通过编译链接产生.out 文件 但不能产生bin文件 提示如下272380 实际上是执行 objcopy -O binary "$PROJ_DIR$"T_Program.out "$PROJ_DIR$"T_Program .bin ......
蓦然回首qbb ARM技术
【Nucleo+BLUENRG心得】+BLUENRG 通过APP控制 RGB
【Nucleo+BLUENRG心得】+BLUENRG 通过APP控制 RGB APP：Multitool 硬件：Nucleo+BLUENRG心 BLUENRG 服务定义： 184048 通过其中一个服务了解它 //添加SERVICE 0XFFF0 re ......
蓝雨夜 stm32/stm8
51控制RTL8019AS网卡的相关资料（英文）
51控制RTL8019AS网卡的相关资料（英文）...
pspcxl 51单片机
汇编写的Beaglebone-Black 流水灯
在Makefile中改为自己的编译器后make一下即可 用汇编写这个只是为了熟悉ARM 汇编指令，像学习单片机那样学这个是很浪费的:hug: PS： C2000 Lauchpad稍微改装后即可变成XDS100 V2 仿 ......
airqj DSP 与 ARM 处理器
51 IO口模拟串口通讯C源程序
8){fontsize_6562.style.fontSize=(--curfontsize_6562)+"pt";fontsize_6562.style.lineHeight=(--curlineheight_6562)+"pt";}'>减小字体 增大字体 #include <reg51.h>sbit BT_SND =P1 ......
rain 51单片机
关于MATLAB的opctool与RSLinx的接口问题
本人实验室用的Rockwell的PAC，提供了RSLinx Classic作为OPC server。 现在想利用MATLAB的OPC Toolbox建立OPC client来读取现场数据，可以用来在线辨识之类的。 OPC server能够连上，但是每次 ......
ldw3 嵌入式系统
器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

  1. 1351210000
  2. PTF2L-5000-LBQ
  3. BZD27C75PMHG
  4. GS3501784FLF
  5. FKP30.1/400/5PCM10
  6. 3MA-3P-1-AP2/22-M5-4RE
  7. 1206J5000392KDR
  8. SS4A-03-4870-BA
  9. PJESDA6V2-4GT/R7
  10. A2541H-24P
  11. 20D270K
  12. CC3D103MC1IEF49D60MF

开源项目推荐更多

  1. MIC2025-1YM单通道配电开关MM8典型应用
  2. TS9010ACX5 RF 150mA, 1.5V CMOS LDO with Enable 典型应用电路
  3. 5.1V 直流转直流单路输出电源
  4. DC1948A，使用 LT3090、-36V、600mA 负线性稳压器且具有可编程电流限制的演示板
  5. AM6TW-4818SZ 18V 6瓦双输出DC-DC转换器的典型应用
  6. 使用 TC7662B 电荷泵从单 5V 电源获得 RS232 电平的典型应用电路
  7. 使用 Analog Devices 的 LT1934IDCB-1 的参考设计
  8. 基于ST1S12XX的、具有使能功能的0.7A/1.2V同步降压转换器
  9. BTS5016-2EKA 双通道智能高端电源开关典型应用电路
  10. LT8602EUJ 1.2V、3.3V、1.8V 和 5V 输出降压稳压器的典型应用电路

热门活动更多

  1. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  2. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  3. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  4. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  5. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  6. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  7. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  8. 免费申请《一本书讲透汽车功能安全：标准详解与应用实践》，挑战《ISO26262标准》共读，赢好礼
  9. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  10. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！

热门文章更多

  1. 变频器的多速控制硬件组成_变频器的多速控制参数的设定
  2. 充换电国标来了，会带来哪些爆发的机遇？
  3. STM32F103C8T6用官方bootloader实现IAP升级操作方法
  4. 第47章 STM32F429的SPI 总线应用之SPI Flash的MDK下载算法制作
  5. 一文看懂汽车风扇工作原理
  6. 是德示波器来帮您查找出现毛刺的原因
  7. 自制频谱分析仪
  8. 华为重磅鸿蒙4.0系统曝光：设计改动大、诸多提升

技术资料推荐更多

  1. 航天传感器
  2. 征服Python：语言基础与典型应用
  3. Simulink动态系统建模与仿真（李颖 第二版）.pdf
  4. 自己制作的3D元件库：AXIAL_RESISTOR(0_25W)
  5. 1200例实用自动化机械与机构技术咨询图册续编800例.pdf
  6. PCtoLCD2002完美版.rar
  7. STM32实现双向BuckBoost电路设计资料（keil程序+原理图+环路设计资料）
  8. TCL(tool command language)源代码
  9. Altium Designer 官方教程
  10. AV4033频谱分析仪维修手册

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 832  765  2748  1555  1732  20  10  23  30  42 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved