datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHFR420-E3
PDF数据手册
文档预览

SIHFR420-E3

产品描述2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB，共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SIHFR420-E3概述

2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

SIHFR420-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）400 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.4 A
最大漏极电流 (ID)2.4 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
max. (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 10 V
19
3.3
13
Single
D
FEATURES
500
3.0
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Surface mount (IRFR420, SiHFR420)
• Straight lead (IRFU420, SiHFU420)
Available
• Available in tape and reel
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
G
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W
are possible in typical surface mount applications.
G
S
G
D S
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
DPAK (TO-252)
SiHFR420-GE3
IRFR420PbF
DPAK (TO-252)
SiHFR420TR-GE3
a
IRFR420TRPbF
a
DPAK (TO-252)
SiHFR420TRL-GE3
a
IRFR420TRLPbF
a
DPAK (TO-252)
SiHFR420TRR-GE3
a
IRFR420TRRPbF
a
IPAK (TO-251)
SiHFU420-GE3
IRFU420PbF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
a
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB
mount)
e
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
for 10 s
Single Pulse Avalanche Energy
b
Repetitive Avalanche Current
a
Repetitive Avalanche
Energy
a
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB mount)
e
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak temperature)
d
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 50 V, starting T
J
= 25 °C, L = 124 mH, R
g
= 25
,
I
AS
= 2.4 A (see fig. 12).
c. I
SD
2.4 A, dI/dt
50 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
S16-1522-Rev. E, 08-Aug-16
Document Number: 91275
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
500
± 20
2.4
1.5
8.0
0.33
0.020
400
2.4
4.2
42
2.5
3.5
-55 to +150
260
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
A
UNIT
V

SIHFR420-E3相似产品对比

SIHFR420-E3 SIHFR120TL SIHFR120TL-E3 SIHFR420 SIHFR420T SIHFR420T-E3 SIHFU420 SIHFU420-E3 IRFR420TRR
描述 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 ,
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.4 A 7.7 A 7.7 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES NO NO YES
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 -
零件包装代码 TO-252 TO-252AA TO-252AA TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 TO-251 -
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 -
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED -
雪崩能效等级（Eas） 400 mJ 210 mJ 210 mJ 400 mJ 400 mJ 400 mJ 400 mJ 400 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN -
最小漏源击穿电压 500 V 100 V 100 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V -
最大漏极电流 (ID) 2.4 A 7.7 A 7.7 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A -
最大漏源导通电阻 3 Ω 0.27 Ω 0.27 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω 3 Ω -
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252AA TO-252AA TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 TO-251 -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 -
JESD-609代码 e3 e0 e3 e0 e0 e3 e0 e3 -
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 2 2 2 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE -
峰值回流温度（摄氏度） 260 240 260 240 240 260 240 260 -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8 A 31 A 31 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 40 30 30 40 30 40 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -

推荐资源

低成本的860瓦限界精密光控电路图

应用TL431组成的开关稳压器

光敏晶体管采用变压器耦合的调制光信号放大电路

监视其他电压的电路图

555定电度量供电装置电路

电阻阻值选择电路

小且精彩的迷你本：採用NVIDIA Tegra 600MHz處理器 Mobinnova展示「Elan」Netbook
Mobinnova 「 Elan 」 Netbook 外觀設計時尚 22721 支援 HDMI 、 DVI 及 D-Sub 輸出 22722 可升高機身設計令使用更方便 22723  內建 Firefox 瀏覽器使用與一般 PC 無異 227 ......
china_boy DIY/开源硬件专区
关于LM3S9D96开发板问题
用LM3S9D96自带的TIMER例程，用IAR-EMBEDED-BRENCH-6.20版本工具调试，发现：刚开始程序可以进入TIMER0和TIMER1中断，但复位后就不能进入中断。不知是何原因！...
hb22s 微控制器 MCU
[Android] 为Android安装BusyBox —— 完整的bash shell
为Android安装BusyBox —— 完整的bash shell 大家是否有过这样的经历，在命令行里输入adb shell，然后使用命令操作你的手机或模拟器，但是那些命令都是常见Linux命令的阉割缩水版，用起来很 ......
Wince.Android Linux开发
求STM32固件库！！！
:titter:我最近想要固件库不同的版本以此来搞清楚固件库各个版本的差别，麻烦有的大虾给我发一份，版本：3.00 3.20 3.30 3.40 （可能有的版本不存在吧）多谢啦！！！ 邮箱1445056420@qq.com...
星辰mn stm32/stm8
简化Xmodem协议在MSP430F149上的实现
/********************************************************** 日期：2007-05-21 编写：李猛 功能：编程实现简化Xmodem协议，为实现标准的Xmodem协议做基础 备注：此程序中430为发送方 说 ......
qinkaiabc 微控制器 MCU
新人报道
新人报道，希望在这里大家能够互帮互助，共同进步...
ytouc317 单片机
器件捷径:   E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

  1. Y1506291R000DM0R
  2. P295BL252M440L
  3. M80-4T10805F3-09-301-12-301
  4. 240-0325-31PPB4J7-18P
  5. TL42MW30025
  6. E3T-SL13-2
  7. 1623839
  8. MMTDT-05-28-F-03.93-D-LUS
  9. K10106ZC
  10. BAV19WS_04
  11. SS3020HET/R13
  12. A2550HD-16P

开源项目推荐更多

  1. 2018电赛B题-灭火飞行器（大连理工大学）
  2. AM2M-2405S-NZ 5 Vout、2W 单路输出 DC-DC 转换器的典型应用
  3. 用于工业控制的 10W、12V 交流转直流单路输出电源
  4. LTC6258IDC 1.3MHz、20uA 高功率高效轨至轨 I/O 运算放大器的典型应用
  5. ADR3440 4.096-Vout 微功率、高精度电压基准的典型应用
  6. NCP59749 3.0 A、具有可编程软启动的双轨极低压差线性稳压器的典型应用
  7. EVAL-ADUC7122QSPZ，用于评估 ADuC7122 ARM7 MCU 微转换器 + 13 外部通道、12 位、1MSPS ADC 的 QuickStart Plus 开发系统
  8. 使用 Analog Devices 的 LTC1550LCMS8-2.5 的参考设计
  9. Twonkie：开源USB-PD Sniff，基于 Google Twinkie 的 USB-PD 嗅探器
  10. L7815C 可调输出稳压器的典型应用（7 至 30 V）

热门活动更多

  1. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  2. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  3. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  4. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  5. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  6. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  7. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  8. 免费申请《一本书讲透汽车功能安全：标准详解与应用实践》，挑战《ISO26262标准》共读，赢好礼
  9. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  10. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！

热门文章更多

  1. 中兴通讯：公司5G无线网集采中标份额提升
  2. 新思科技和台积公司推动芯片创新，开发基于N4P制程技术
  3. IDTechEx报告：使用高功率充电器为电动汽车充电 速度堪比加油
  4. 29-基于51单片机的步进电机控制系统
  5. 合创资本王先根：21世纪硅基光电子的投资机遇和挑战
  6. 什么是位式控制？
  7. 基于单片机的电梯(四层)控制系统设计
  8. 极长寿命新型氧离子电池问世
  9. 贸泽电子开售适用于物联网和手持无线应用的Murata Type 2BZ Wi-Fi +蓝牙模块

技术资料推荐更多

  1. 数据库基本原理-杭州电子科技大学 1#-第1章.ppt
  2. 液压与气压传动课件
  3. Practical Electronics for Inventors.pdf
  4. CAM350-9.5.1-中文版
  5. AM3352 核心原理图
  6. 业余无线电手册 ARRL 高清书签版
  7. CMOS射频集成电路设计
  8. PXI-5 PXI Express Hardware Specification
  9. 【Follow me第三季第4期】蓝牙控制的多阈值电压比较器 代码汇总
  10. PAL-D电视广播附加双声道数字声技术规范GY T 129-1997

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2426  2759  2279  740  1319  28  24  13  48  21 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved