Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFR420TRR

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IRFR420TRR: 产品描述MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共11页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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IRFR420TRR概述

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

IRFR420TRR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.4 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	42 W
表面贴装	YES
Base Number Matches	1

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IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

(V)

DS(on)

()

max. (nC)

(nC)

Configuration

= 10 V

3.3

Single

FEATURES

500

3.0

• Dynamic dV/dt rating

• Repetitive avalanche rated

• Surface mount (IRFR420, SiHFR420)

• Straight lead (IRFU420, SiHFU420)

Available

• Available in tape and reel

• Fast switching

• Ease of paralleling

• Material categorization: for definitions of compliance

please see

www.vishay.com/doc?99912

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

D S

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

DPAK (TO-252)

SiHFR420-GE3

IRFR420PbF

DPAK (TO-252)

SiHFR420TR-GE3

IRFR420TRPbF

DPAK (TO-252)

SiHFR420TRL-GE3

IRFR420TRLPbF

DPAK (TO-252)

SiHFR420TRR-GE3

IRFR420TRRPbF

IPAK (TO-251)

SiHFU420-GE3

IRFU420PbF

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Linear Derating Factor

Linear Derating Factor (PCB

mount)

= 25 °C

dV/dt

, T

stg

for 10 s

Single Pulse Avalanche Energy

Repetitive Avalanche Current

Repetitive Avalanche

Energy

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB mount)

Peak Diode Recovery dV/dt

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak temperature)

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V

= 50 V, starting T

= 25 °C, L = 124 mH, R

= 25

,

= 2.4 A (see fig. 12).

c. I



2.4 A, dI/dt



50 A/μs, V



, T



150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

S16-1522-Rev. E, 08-Aug-16

Document Number: 91275

For technical questions, contact:

hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT

www.vishay.com/doc?91000

at 10 V

= 25 °C

= 100 °C

SYMBOL

LIMIT

500

± 20

2.4

1.5

8.0

0.33

0.020

400

2.4

4.2

2.5

3.5

-55 to +150

260

W/°C

V/ns

°C

UNIT

IRFR420TRR相似产品对比

	IRFR420TRR	SIHFR120TL	SIHFR120TL-E3	SIHFR420	SIHFR420-E3	SIHFR420T	SIHFR420T-E3	SIHFU420	SIHFU420-E3
描述	MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK	2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	符合
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
包装说明	,	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
配置	Single	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.4 A	7.7 A	7.7 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	NO	NO
是否无铅	-	含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅
零件包装代码	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252	TO-252	TO-252	TO-252	TO-251	TO-251
针数	-	3	3	3	3	3	3	3	3
其他特性	-	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	-	210 mJ	210 mJ	400 mJ	400 mJ	400 mJ	400 mJ	400 mJ	400 mJ
外壳连接	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
最小漏源击穿电压	-	100 V	100 V	500 V	500 V	500 V	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	-	7.7 A	7.7 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A
最大漏源导通电阻	-	0.27 Ω	0.27 Ω	3 Ω	3 Ω	3 Ω	3 Ω	3 Ω	3 Ω
JEDEC-95代码	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252	TO-252	TO-252	TO-252	TO-251	TO-251
JESD-30 代码	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	-	e0	e3	e0	e3	e0	e3	e0	e3
元件数量	-	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	2	2	2	2	2	2	3	3
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	240	260	240	260	240	260	240	260
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	31 A	31 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)
端子形式	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	-	30	40	30	40	30	40	30	40
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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