BUFFER AMPLIFIER, PDSO14
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP14,.25 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 50 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA |
| 最大输入失调电压 | 100000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.65 mm |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最小摆率 | 550 V/us |
| 标称压摆率 | 1200 V/us |
| 最大压摆率 | 22 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.9 mm |
| LM6321M | LM6121 | LM6121H/883 | LM6121J/883 | LM6221H | LM6221N | LM6321 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | BUFFER AMPLIFIER, PDSO14 | BUFFER AMPLIFIER, PDSO14 | BUFFER AMPLIFIER, PDSO14 | BUFFER AMPLIFIER, PDSO14 | BUFFER AMPLIFIER, PDSO14 | BUFFER AMPLIFIER, PDSO14 | BUFFER AMPLIFIER, PDSO14 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | - |
| 零件包装代码 | SOIC | - | BCY | DIP | BCY | DIP | - |
| 包装说明 | SOP, SOP14,.25 | - | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 | - |
| 针数 | 14 | - | 8 | 8 | 8 | 8 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknow | unknow | unknow | - |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 放大器类型 | BUFFER | - | BUFFER | BUFFER | BUFFER | BUFFER | - |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA | - | 7 µA | 7 µA | 7 µA | 7 µA | - |
| 标称带宽 (3dB) | 50 MHz | - | 50 MHz | 50 MHz | 50 MHz | 50 MHz | - |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA | - | 4 µA | 4 µA | 7 µA | 7 µA | - |
| 最大输入失调电压 | 100000 µV | - | 50000 µV | 50000 µV | 60000 µV | 60000 µV | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 | - | O-MBCY-W8 | R-GDIP-T8 | O-MBCY-W8 | R-PDIP-T8 | - |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 | e0 | - |
| 负供电电压上限 | -18 V | - | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V | - |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | - | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | - |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 14 | - | 8 | 8 | 8 | 8 | - |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C | - |
| 最低工作温度 | - | - | -55 °C | -55 °C | -40 °C | -40 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED | METAL | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 | - | CAN8,.2 | DIP8,.3 | CAN8,.2 | DIP8,.3 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | ROUND | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | CYLINDRICAL | IN-LINE | CYLINDRICAL | IN-LINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | +-15 V | - | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 最小摆率 | 550 V/us | - | 550 V/us | 550 V/us | 550 V/us | 550 V/us | - |
| 标称压摆率 | 1200 V/us | - | 1200 V/us | 1200 V/us | 1200 V/us | 1200 V/us | - |
| 最大压摆率 | 22 mA | - | 20 mA | 20 mA | 20 mA | 20 mA | - |
| 供电电压上限 | 18 V | - | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | - | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | - |
| 表面贴装 | YES | - | NO | NO | NO | NO | - |
| 技术 | BIPOLAR | - | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | - |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | GULL WING | - | WIRE | THROUGH-HOLE | WIRE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | DUAL | - | BOTTOM | DUAL | BOTTOM | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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