HCTS08KMSH概述

AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14

HCTS08KMSH规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Harris
包装说明	DFP, FL14,.3
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HCT
JESD-30 代码	R-CDFP-F14
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	AND GATE
最大I（ol）	0.00005 A
功能数量	4
输入次数	2
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Su	26 ns
传播延迟（tpd）	25 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
筛选级别	38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V

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HCTS08KMSH相似产品对比

	HCTS08KMSH	5962R9568301VXC	5962R9568301VCX	5962R9568301VXX	5962R9568301VCC	HCTS08DMSH
描述	AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HCT	HCT	HCT	HCT	HCT	HCT
JESD-30 代码	R-CDFP-F14	R-CDFP-F14	R-CDIP-T14	R-CDFP-F14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14
逻辑集成电路类型	AND GATE	AND GATE	AND GATE	AND GATE	AND GATE	AND GATE
功能数量	4	4	4	4	4	4
输入次数	2	2	2	2	2	2
端子数量	14	14	14	14	14	14
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE
传播延迟（tpd）	25 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	25 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	1M Rad(Si) V
JESD-609代码	e0	e4	-	-	e4	e0
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	-	-	50 pF	50 pF
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	GOLD	-	-	GOLD	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1

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