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HCTS08DMSH

产品描述AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小221KB,共6页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HCTS08DMSH概述

AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14

HCTS08DMSH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列HCT
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I(ol)0.00005 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup26 ns
传播延迟(tpd)25 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1

HCTS08DMSH相似产品对比

HCTS08DMSH 5962R9568301VXC 5962R9568301VCX 5962R9568301VXX 5962R9568301VCC HCTS08KMSH
描述 AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 AND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
其他特性 RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列 HCT HCT HCT HCT HCT HCT
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14
逻辑集成电路类型 AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE
功能数量 4 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK IN-LINE FLATPACK IN-LINE FLATPACK
传播延迟(tpd) 25 ns 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns 25 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
JESD-609代码 e0 e4 - - e4 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF - - 50 pF 50 pF
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) GOLD - - GOLD Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
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