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HCS00KMSR概述

NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14

HCS00KMSR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Harris
包装说明	DFP, FL14,.3
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HC/UH
JESD-30 代码	R-CDFP-F14
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE
最大I（ol）	0.004 A
功能数量	4
输入次数	2
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Su	22 ns
传播延迟（tpd）	20 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
筛选级别	38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
总剂量	200k Rad(Si) V

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	HCS00KMSR	5962R9572401VCC	HCS00D/SAMPLE	5962R9572401VXC	5962R9572401V9A	HCS00HMSR	HCS00K/SAMPLE	HCS00DMSR
描述	NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS	NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS	NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
系列	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH
JESD-30 代码	R-CDFP-F14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDFP-F14	X-XUUC-N14	X-XUUC-N14	R-CDFP-F14	R-CDIP-T14
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
功能数量	4	4	4	4	4	4	4	4
输入次数	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	14	14	14	14	14	14	14	14
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	FLATPACK	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	FLATPACK	IN-LINE
传播延迟（tpd）	20 ns	20 ns	18 ns	20 ns	18 ns	18 ns	18 ns	20 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	FLAT	NO LEAD	NO LEAD	FLAT	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	UPPER	UPPER	DUAL	DUAL
JESD-609代码	e0	e4	-	e4	e0	-	-	e0
最高工作温度	125 °C	125 °C	-	125 °C	125 °C	125 °C	-	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C
温度等级	MILITARY	MILITARY	-	MILITARY	MILITARY	MILITARY	-	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	GOLD	-	GOLD	TIN LEAD	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
总剂量	200k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	-	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	-	-	200k Rad(Si) V
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	-

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