V826632K24SAIG-C0,V826632K24SAIG-C0 pdf中文资料,V826632K24SAIG-C0引脚图,V826632K24SAIG-C0电路-Datasheet-电子工程世界

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V826632K24SAIG-C0: 产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小155KB，共15页; 制造商ProMOS Technologies Inc; 标准

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V826632K24SAIG-C0概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184

V826632K24SAIG-C0规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ProMOS Technologies Inc
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM,
针数	184
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
JESD-609代码	e4
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

V826632K24SAIG-C0相似产品对比

	V826632K24SAIG-C0	V826632K24SAIG-B0	V826632K24SATG-B1	V826632K24SATG-B0	V826632K24SATG-D3	V826632K24SATG-D0	V826632K24SATG-C0	V826632K24SAIG-D0	V826632K24SAIG-B1
描述	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.75ns, DMA184, DIMM-184	32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.75ns, DMA184, DIMM-184	32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.65ns, DMA184, DIMM-184	32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.65 ns, DMA184, DIMM-184	32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.7ns, DMA184, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	符合
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM-184	DIMM-184	DIMM-184	DIMM, DIMM184	DIMM-184	DIMM,	DIMM,
针数	184	184	184	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compli	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	compli
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.65 ns	0.65 ns	0.7 ns	0.65 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4
内存密度	2147483648 bi	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184	184	184	184	184
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.5 V	2.5 V	2.3 V	2.5 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V	2.5 V	2.6 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	Gold (Au)	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	ProMOS Technologies Inc	-	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc
最大时钟频率 (fCLK)	-	-	143 MHz	133 MHz	200 MHz	200 MHz	166 MHz	-	-
I/O 类型	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	-
输出特性	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-
封装等效代码	-	-	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	-	-
电源	-	-	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V	2.5 V	-	-
刷新周期	-	-	8192	8192	8192	8192	8192	-	-
最大压摆率	-	-	2.4 mA	2.4 mA	3.2 mA	3.2 mA	2.8 mA	-	-
端子节距	-	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	-

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