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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> V826632K24SATG-D3
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V826632K24SATG-D3

产品描述32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.65ns, DMA184, DIMM-184
产品类别存储    存储   
文件大小155KB，共15页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V826632K24SATG-D3概述

32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.65ns, DMA184, DIMM-184

V826632K24SATG-D3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ProMOS Technologies Inc
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM-184
针数184
Reach Compliance Codeunknown
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.65 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
JESD-609代码e4
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源2.6 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大压摆率3.2 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

V826632K24SATG-D3相似产品对比

V826632K24SATG-D3 V826632K24SAIG-B0 V826632K24SATG-B1 V826632K24SATG-B0 V826632K24SATG-D0 V826632K24SATG-C0 V826632K24SAIG-D0 V826632K24SAIG-B1 V826632K24SAIG-C0
描述 32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.65ns, DMA184, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.75ns, DMA184, DIMM-184 32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.75ns, DMA184, DIMM-184 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.65 ns, DMA184, DIMM-184 32MX64 DDR DRAM MODULE, 0.7ns, DMA184, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM-184 DIMM, DIMM-184 DIMM-184 DIMM, DIMM184 DIMM-184 DIMM, DIMM, DIMM,
针数 184 184 184 184 184 184 184 184 184
Reach Compliance Code unknown compliant unknown unknown unknown unknown compliant compli compli
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.65 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.65 ns 0.7 ns 0.65 ns 0.75 ns 0.7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bi 2147483648 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 184 184 184 184 184 184 184 184 184
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.5 V 2.3 V 2.5 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.5 V 2.6 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 GOLD Gold (Au) GOLD GOLD GOLD GOLD Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 ProMOS Technologies Inc - ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc ProMOS Technologies Inc
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz - 143 MHz 133 MHz 200 MHz 166 MHz - - -
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON COMMON COMMON - - -
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - - -
封装等效代码 DIMM184 - DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 - - -
电源 2.6 V - 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.5 V - - -
刷新周期 8192 - 8192 8192 8192 8192 - - -
最大压摆率 3.2 mA - 2.4 mA 2.4 mA 3.2 mA 2.8 mA - - -
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm - - -

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