M27V101-200L1TR,M27V101-200L1TR pdf中文资料,M27V101-200L1TR引脚图,M27V101-200L1TR电路-Datasheet-电子工程世界

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M27V101-200L1TR: 产品描述128KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小620KB，共16页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M27V101-200L1TR概述

128KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32

M27V101-200L1TR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	QFJ
包装说明	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
针数	32
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0
长度	13.97 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	WQCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.28 mm
最大待机电流	0.00002 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	11.43 mm

M27V101-200L1TR相似产品对比

	M27V101-200L1TR	M27V101-200L6TR	M27V101-100L6	M27V101-100L6TR	M27V101-90L1	M27V101-90L1TR	M27V101-120L1TR	M27V101-120L1
描述	128KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	128KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	128KX8 UVPROM, 100ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	128KX8 UVPROM, 100ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	128KX8 UVPROM, 90ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	128KX8 UVPROM, 90ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	128KX8 UVPROM, 120ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	128KX8 UVPROM, 120ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFJ	QFJ	QFJ	QFJ	QFJ	QFJ	QFJ	QFJ
包装说明	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
针数	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	200 ns	100 ns	100 ns	90 ns	90 ns	120 ns	120 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm
内存密度	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi
内存集成电路类型	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	WQCCN	WQCCN	WQCCN	WQCCN	WQCCN	WQCCN	WQCCN	WQCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3/5 V	3.3/5 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.28 mm	2.28 mm	2.28 mm	2.28 mm	2.28 mm	2.28 mm	2.28 mm	2.28 mm
最大待机电流	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm
厂商名称	ST(意法半导体)	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)

M27V101-200L1TR

M27V101-200L1TR概述

M27V101-200L1TR规格参数

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