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M27V101-200L6TR

产品描述128KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小620KB,共16页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M27V101-200L6TR概述

128KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32

M27V101-200L6TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间200 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码WQCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.28 mm
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.97 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

M27V101-200L6TR相似产品对比

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描述 128KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 128KX8 UVPROM, 100ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 128KX8 UVPROM, 100ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 128KX8 UVPROM, 90ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 128KX8 UVPROM, 90ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 128KX8 UVPROM, 120ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 128KX8 UVPROM, 120ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 128KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFJ QFJ QFJ QFJ QFJ QFJ QFJ QFJ
包装说明 WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
针数 32 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 200 ns 100 ns 100 ns 90 ns 90 ns 120 ns 120 ns 200 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi 1048576 bi
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 WQCCN WQCCN WQCCN WQCCN WQCCN WQCCN WQCCN WQCCN
封装等效代码 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3/5 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.28 mm 2.28 mm 2.28 mm 2.28 mm 2.28 mm 2.28 mm 2.28 mm 2.28 mm
最大待机电流 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V 2.97 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm
厂商名称 - ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)

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