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KM75C104ANI-20

产品描述FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28
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文件大小65KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM75C104ANI-20概述

FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28

KM75C104ANI-20规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间20 ns
最大时钟频率 (fCLK)33.3 MHz
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度36864 bi
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
湿度敏感等级3
端子数量28
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

KM75C104ANI-20相似产品对比

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描述 FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32 FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28 FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 QCCJ, LDCC32,.5X.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknow unknow unknow unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 20 ns 25 ns 35 ns 50 ns 25 ns 20 ns 50 ns 20 ns 50 ns 50 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 36864 bi 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bi 36864 bi 36864 bi 36864 bi 36864 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
端子数量 28 28 28 28 28 32 28 28 28 28
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C -
组织 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP QCCJ DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.3 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.3 DIP28,.3 LDCC32,.5X.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.06 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.06 mA 0.12 mA 0.06 mA 0.06 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO YES NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) -
最大时钟频率 (fCLK) 33.3 MHz 28.6 MHz 22.2 MHz - 28.6 MHz 33.3 MHz - 33.3 MHz - -
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