MRW2010F,MRW2010F pdf中文资料,MRW2010F引脚图,MRW2010F电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MRW2010F

MRW2010F: 产品描述S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小187KB，共7页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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MRW2010F概述

S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

MRW2010F规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Motorola ( NXP )
包装说明	DISK BUTTON, O-CRDB-F2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接	BASE
最大集电极电流 (IC)	2 A
基于收集器的最大容量	12 pF
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
极性/信道类型	NPN
最小功率增益 (Gp)	7 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

MRW2010F相似产品对比

	MRW2010F	MRW2005F	MRW2003F	MRW2015F	MRW2020	MRW2020F
描述	S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN	S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR	S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
厂商名称	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )
包装说明	DISK BUTTON, O-CRDB-F2	DISK BUTTON, O-CRDB-F2	DISK BUTTON, O-CRDB-F2	FLATPACK, R-CDFP-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	DIFFUSED BALLAST RESISTORS	DIFFUSED BALLAST RESISTORS	DIFFUSED BALLAST RESISTORS	DIFFUSED BALLAST RESISTORS	DIFFUSED BALLAST RESISTORS	DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接	BASE	BASE	BASE	BASE	BASE	BASE
最大集电极电流 (IC)	2 A	1 A	0.5 A	3 A	4 A	4 A
基于收集器的最大容量	12 pF	7 pF	5 pF	21 pF	24 pF	24 pF
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10	10	10	10	10	10
最高频带	S BAND	S BAND	S BAND	S BAND	S BAND	S BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F2	O-CRDB-F2	O-CRDB-F2	R-CDFP-F2	R-CDFM-F2	R-CDFP-F2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	FLATPACK	FLANGE MOUNT	FLATPACK
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最小功率增益 (Gp)	7 dB	8 dB	8 dB	6 dB	5.2 dB	5.2 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	RADIAL	RADIAL	RADIAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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