Power Field-Effect Transistor,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Littelfuse |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | _compli |
其他特性 | AVALANCE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 1500 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 10 A |
最大漏极电流 (ID) | 10 A |
最大漏源导通电阻 | 1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 42 pF |
JEDEC-95代码 | TO-263AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 30 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IXTA10P50P | IXTH10P50P | IXTQ10P50P | IXTP10P50P | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, | Power Field-Effect Transistor, | Power Field-Effect Transistor, | Power Field-Effect Transistor, |
Reach Compliance Code | _compli | unknown | unknown | unknown |
Base Number Matches | - | 1 | 1 | 1 |
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