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IXTA10P50P

产品描述Power Field-Effect Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小184KB,共7页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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IXTA10P50P概述

Power Field-Effect Transistor,

IXTA10P50P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code_compli
其他特性AVALANCE RATED
雪崩能效等级(Eas)1500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)42 pF
JEDEC-95代码TO-263AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXTA10P50P相似产品对比

IXTA10P50P IXTH10P50P IXTQ10P50P IXTP10P50P
描述 Power Field-Effect Transistor, Power Field-Effect Transistor, Power Field-Effect Transistor, Power Field-Effect Transistor,
Reach Compliance Code _compli unknown unknown unknown
Base Number Matches - 1 1 1

 
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