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M471B5773DH0-YH9

产品描述DDR DRAM Module, 256MX64, 0.255ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204
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文件大小1015KB,共36页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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M471B5773DH0-YH9概述

DDR DRAM Module, 256MX64, 0.255ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

M471B5773DH0-YH9规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1122316001
包装说明DIMM, DIMM204,24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.255 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N204
JESD-609代码e3
长度67.6 mm
内存密度17179869184 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量204
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM204,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.35 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度30.13 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.08 A
最大压摆率1 mA
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.8 mm

M471B5773DH0-YH9相似产品对比

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描述 DDR DRAM Module, 256MX64, 0.255ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 512MX64, 0.3ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 256MX64, 0.3ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 256MX64, 0.225ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 DIMM, DIMM204,24 DIMM, DIMM204,24 DIMM, DIMM204,24 DIMM, DIMM204,24
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.255 ns 0.3 ns 0.3 ns 0.225 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK) 667 MHz 533 MHz 533 MHz 800 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N204 R-XDMA-N204 R-XDMA-N204 R-XDMA-N204
长度 67.6 mm 67.6 mm 67.6 mm 67.6 mm
内存密度 17179869184 bit 34359738368 bit 17179869184 bit 17179869184 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 204 204 204 204
字数 268435456 words 536870912 words 268435456 words 268435456 words
字数代码 256000000 512000000 256000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 256MX64 512MX64 256MX64 256MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM204,24 DIMM204,24 DIMM204,24 DIMM204,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 225
电源 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES
最大待机电流 0.08 A 0.16 A 0.08 A 0.08 A
最大压摆率 1 mA 1 mA 0.88 mA 1.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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