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IRLML6401

产品描述漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小5MB,共6页
制造商友台半导体(UMW)
官网地址http://www.umw-ic.com/

UMW 是中国大陆领先的 LDO、MOSFET、DC/DC、RS-232、RS-485、ESD/TVS、光耦合器、逻辑电路、温度传感器供应商。UTD 的解决方案可实现低风险开发、降低总体系统成本并加快各种全球应用的上市时间。

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IRLML6401概述

漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:P沟道

IRLML6401规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.3A
栅源极阈值电压950mV @ 250uA
漏源导通电阻50mΩ @ 4.3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.3W
类型P沟道

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