电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IDT61595S30DB

产品描述Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小45KB,共2页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IDT61595S30DB概述

Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28

IDT61595S30DB规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL

IDT61595S30DB相似产品对比

IDT61595S30DB IDT61595S25P IDT61595S25C IDT61595L25P IDT61595L30CB IDT61595S25D IDT61595L25D IDT61595L25C IDT61595L30DB IDT61595S30CB
描述 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, PDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, PDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28 Cache SRAM, 16KX4, CMOS, CDIP28, DIP-28
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP,
针数 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 EAR99 EAR99 3A001.A.2.C EAR99 EAR99 EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
JESD-30 代码 R-GDIP-T28 R-PDIP-T28 R-CDIP-T28 R-PDIP-T28 R-CDIP-T28 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-CDIP-T28 R-GDIP-T28 R-CDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 65536 bi 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bi
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C
组织 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
请教芯片复位问题
我想用芯片max809来提供复位信号,只用一块809来复位四块芯片,不知到在驱动能力上会不会有问题,有这方面经验的高手请指点一下,谢谢...
dc0556 模拟电子
CPLD中程序运行不正常
做了个小东西,CPLD和单片机之间通信,刚开始弄好后,运行很好, 不管怎么断电,复位等都不会出什么问题,但是东西放一点时间后,再开机 就运行不正常了,是CPLD中的问题,感觉程序跑飞了一 ......
jialaolian FPGA/CPLD
有人熟悉脉搏波吗?有偿求助。
有人熟悉脉搏波吗?可能对高手来说很简单的一个问题,研究好久了,解决不了。有偿求助,重金求解。qq:1974657006...
bss 单片机
菜鸟看LM3S811评估板
看到坛子里面有LM3S811的评估板,赶紧上网下载个说明书,为了锻炼英语水平,为了和我一样的菜鸟的幸福,特翻译部分内容,以飨坛友,高手就可以掠过了。 首先这是一款ARM处理器的评估板。 ......
k410533234 微控制器 MCU
工业堆栈指示灯通过LED变得更智能
发光二极管(LED)比白炽灯、紧凑型荧光灯(CFL)或卤素灯具有更多优点。我们可以回顾一下,这些优势包括流明/瓦更高、寿命更长、震动不敏感、瞬时接通、调光、显色性良好和极灵活的总体灯形。 ......
maylove 模拟与混合信号
STR912+UCOS+TCPIP问题——版主
我有一个项目使用STR912,移植了UCOS+TCPIP,在ADS下编译调试都没有问题,想换到IAR下,结果编译始终通不过,老是告诉我汇编文件里CODE32是错误指令,是怎么回事啊? 编译结 ......
linhuanhuan stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 369  91  1282  1788  2203  8  2  26  36  45 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved