M5M5V1001BP-30,M5M5V1001BP-30 pdf中文资料,M5M5V1001BP-30引脚图,M5M5V1001BP-30电路-Datasheet-电子工程世界

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M5M5V1001BP-30: 产品描述Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小165KB，共5页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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M5M5V1001BP-30概述

Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28

M5M5V1001BP-30规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.4
针数	28
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	30 ns
备用内存宽度	4
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.001 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

M5M5V1001BP-30相似产品对比

	M5M5V1001BP-30	M5M5V1001BJ-25	M5M5V1001BJ-25T	M5M5V1001BP-25	M5M5V1001BJ-20	M5M5V1001BJ-20T	M5M5V1001BP-20	M5M5V1001BJ-30	M5M5V1001BJ-30T
描述	Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
零件包装代码	DIP	SOJ	SOJ	DIP	SOJ	SOJ	DIP	SOJ	SOJ
包装说明	DIP, DIP28,.4	SOJ, SOJ28,.44	SOJ,	DIP, DIP28,.4	SOJ, SOJ28,.44	SOJ,	DIP, DIP28,.4	SOJ, SOJ28,.44	SOJ,
针数	28	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	EAR99	EAR99
最长访问时间	30 ns	25 ns	25 ns	25 ns	20 ns	20 ns	20 ns	30 ns	30 ns
备用内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDIP-T28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDIP-T28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28
内存密度	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1	1MX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOJ	SOJ	DIP	SOJ	SOJ	DIP	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	YES	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	-	不符合	不符合	-
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	-	-	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	-	SEPARATE	SEPARATE	-	SEPARATE	SEPARATE	-
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	-	e0	e0	-
封装等效代码	DIP28,.4	SOJ28,.44	-	DIP28,.4	SOJ28,.44	-	DIP28,.4	SOJ28,.44	-
电源	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	-
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	-	0.001 A	0.001 A	-	0.001 A	0.001 A	-
最小待机电流	3 V	3 V	-	3 V	3 V	-	3 V	3 V	-
最大压摆率	0.08 mA	0.09 mA	-	0.09 mA	0.1 mA	-	0.1 mA	0.08 mA	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	-	2.54 mm	1.27 mm	-	2.54 mm	1.27 mm	-

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