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MT36KSZF51272PDZ-80BF1

产品描述DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240
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文件大小506KB,共26页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT36KSZF51272PDZ-80BF1概述

DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240

MT36KSZF51272PDZ-80BF1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码DIMM
包装说明HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240
针数240
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N240
JESD-609代码e4
内存密度38654705664 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

MT36KSZF51272PDZ-80BF1相似产品对比

MT36KSZF51272PDZ-80BF1 MT36KSZF51272PDZ-1G4F1 MT36KSZF51272PDZ-80CXX MT36KSZF51272PDZ-1G0XX MT36KSZF51272PDZ-80BXX MT36KSZF51272PDZ-1G1F1 MT36KSZF51272PDZ-80CF1
描述 DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM, 512MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 DIMM, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240 DIMM, HALOGEN FREE, MO-269, RDIMM-240
针数 240 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code unknow unknown compliant compliant compliant unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4
内存密度 38654705664 bi 38654705664 bit 38654705664 bit 38654705664 bit 38654705664 bit 38654705664 bit 38654705664 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240 240
字数 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words
字数代码 512000000 512000000 512000000 512000000 512000000 512000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512MX72 512MX72 512MX72 512MX72 512MX72 512MX72 512MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 GOLD GOLD GOLD GOLD GOLD GOLD GOLD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
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