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AT28BV64-30TC

产品描述64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
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文件大小126KB,共8页
制造商Atmel (Microchip)
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AT28BV64-30TC概述

64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM

AT28BV64-30TC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数28
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间300 ns
其他特性100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面NO
数据轮询YES
数据保留时间-最小值10
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.008 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
宽度8 mm
最长写入周期时间 (tWC)3 ms
Base Number Matches1

AT28BV64-30TC相似产品对比

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描述 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP - - QFJ QFJ DIP DIP SOIC SOIC TSOP1
包装说明 TSOP1, TSSOP28,.53,22 - - QCCJ, LDCC32,.5X.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 SOP, SOP28,.5 SOP, SOP28,.5 TSSOP, TSSOP28,.53,22
针数 28 - - 32 32 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code compli - - compli compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N - - N N N N N - N
最长访问时间 300 ns - - 300 ns 300 ns 300 ns 300 ns 300 ns 300 ns 300 ns
其他特性 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION - - 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面 NO - - NO NO NO NO NO NO NO
数据轮询 YES - - YES YES YES YES YES YES YES
数据保留时间-最小值 10 - - 10 10 10 10 10 10 10
耐久性 100000 Write/Erase Cycles - - 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 - - R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0 - - e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 11.8 mm - - 13.97 mm 13.97 mm 36.95 mm 36.95 mm 17.9 mm 17.9 mm 11.8 mm
内存密度 65536 bi - - 65536 bi 65536 bi 65536 bi 65536 bi 65536 bi 65536 bi 65536 bi
内存集成电路类型 EEPROM - - EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 - - 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 - - 2 2 1 1 2 1 3
功能数量 1 - - 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 - - 32 32 28 28 28 28 28
字数 8192 words - - 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 - - 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - - 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C
组织 8KX8 - - 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 - - QCCJ QCCJ DIP DIP SOP SOP TSSOP
封装等效代码 TSSOP28,.53,22 - - LDCC32,.5X.6 LDCC32,.5X.6 DIP28,.6 DIP28,.6 SOP28,.5 SOP28,.5 TSSOP28,.53,22
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - - CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL - - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 - - 225 225 225 225 240 240 240
电源 3/3.3 V - - 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
编程电压 3 V - - 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES - - YES YES YES YES YES YES YES
座面最大高度 1.2 mm - - 3.55 mm 3.55 mm 4.826 mm 5.59 mm 2.65 mm 2.65 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.00005 A - - 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.008 mA - - 0.008 mA 0.008 mA 0.008 mA 0.008 mA 0.008 mA 0.008 mA 0.008 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - - 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V - - 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V - - 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES - - YES YES NO NO YES YES YES
技术 CMOS - - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - - COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - - J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.55 mm - - 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL - - QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - - 30 30 30 30 30 30 30
切换位 NO - - NO NO NO NO NO NO NO
宽度 8 mm - - 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 7.5 mm 7.5 mm 8 mm
最长写入周期时间 (tWC) 3 ms - - 3 ms 3 ms 3 ms 3 ms 3 ms 3 ms 3 ms
Base Number Matches 1 - - 1 1 1 1 1 1 1
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