AT28BV64-30JC,AT28BV64-30JC pdf中文资料,AT28BV64-30JC引脚图,AT28BV64-30JC电路-Datasheet-电子工程世界

AT28BV64-30JC: 产品描述64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM; 产品类别存储存储; 文件大小126KB，共8页; 制造商Atmel (Microchip)

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AT28BV64-30JC概述

64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM

AT28BV64-30JC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFJ
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数	32
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	300 ns
其他特性	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
数据保留时间-最小值	10
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0
长度	13.97 mm
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端子数量	32
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	3.55 mm
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.008 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
切换位	NO
宽度	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)	3 ms
Base Number Matches	1

AT28BV64-30JC相似产品对比

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描述	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
是否Rohs认证	不符合	-	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFJ	-	-	QFJ	DIP	DIP	SOIC	TSOP	SOIC	TSOP1
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6	-	-	QCCJ, LDCC32,.5X.6	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	SOP, SOP28,.5	TSOP1, TSSOP28,.53,22	SOP, SOP28,.5	TSSOP, TSSOP28,.53,22
针数	32	-	-	32	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compli	-	-	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	-	-	N	N	N	N	N	-	N
最长访问时间	300 ns	-	-	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns
其他特性	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION	-	-	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面	NO	-	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	-	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
数据保留时间-最小值	10	-	-	10	10	10	10	10	10	10
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	-	-	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	-	-	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0	-	-	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	13.97 mm	-	-	13.97 mm	36.95 mm	36.95 mm	17.9 mm	11.8 mm	17.9 mm	11.8 mm
内存密度	65536 bi	-	-	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi
内存集成电路类型	EEPROM	-	-	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	-	-	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	2	-	-	2	1	1	2	3	1	3
功能数量	1	-	-	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	-	-	32	28	28	28	28	28	28
字数	8192 words	-	-	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	-	-	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	-	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	8KX8	-	-	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	-	-	QCCJ	DIP	DIP	SOP	TSOP1	SOP	TSSOP
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	-	-	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	DIP28,.6	SOP28,.5	TSSOP28,.53,22	SOP28,.5	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	-	-	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL	-	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	-	-	225	225	225	240	240	240	240
电源	3/3.3 V	-	-	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
编程电压	3 V	-	-	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	-	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	3.55 mm	-	-	3.55 mm	4.826 mm	5.59 mm	2.65 mm	1.2 mm	2.65 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00005 A	-	-	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最大压摆率	0.008 mA	-	-	0.008 mA	0.008 mA	0.008 mA	0.008 mA	0.008 mA	0.008 mA	0.008 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	-	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	-	-	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	-	-	YES	NO	NO	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	-	-	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	-	-	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	0.55 mm	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	-	-	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	-	30	30	30	30	30	30	30
切换位	NO	-	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
宽度	11.43 mm	-	-	11.43 mm	15.24 mm	15.24 mm	7.5 mm	8 mm	7.5 mm	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	3 ms	-	-	3 ms	3 ms	3 ms	3 ms	3 ms	3 ms	3 ms
Base Number Matches	1	-	-	1	1	1	1	1	1	1

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