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2A8-2: 产品描述L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小31KB，共2页; 制造商ETC2

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2A8-2概述

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

L波段, 硅, NPN, 射频小信号晶体管

参数名称	属性值
端子数量	4
晶体管极性	NPN
最大集电极电流	0.3000 A
最大集电极发射极电压	21 V
加工封装描述	55EU, 4 PIN
状态	ACTIVE
包装形状	ROUND
包装尺寸	DISK BUTTON
表面贴装	Yes
端子形式	FLAT
端子涂层	TIN LEAD
端子位置	RADIAL
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
结构	SINGLE
元件数量	1
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
晶体管类型	RF SMALL SIGNAL
最高频带	L BAND
最大集电极基极电容	4 pF

	2A8-2	2A8
描述	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量	4	4
晶体管极性	NPN	NPN
最大集电极电流	0.3000 A	0.3000 A
最大集电极发射极电压	21 V	21 V
加工封装描述	55EU, 4 PIN	55EU, 4 PIN
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	ROUND	ROUND
包装尺寸	DISK BUTTON	DISK BUTTON
表面贴装	Yes	Yes
端子形式	FLAT	FLAT
端子涂层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子位置	RADIAL	RADIAL
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
结构	SINGLE	SINGLE
元件数量	1	1
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
晶体管类型	RF SMALL SIGNAL	RF SMALL SIGNAL
最高频带	L BAND	L BAND
最大集电极基极电容	4 pF	4 pF

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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